Inženerler smartfonlary bir hepdäniň dowamynda zarýad bermezden nädip işledip boljakdygyny bildiler

Iki sany dünýä belli kompaniýalaryň — IBM we Samsung-yň inženerleri
smartfonlarda prosessorlary doldurmak üçin täze tehnologiýany döredenlikleri
barada habar berdiler. Hünärmenleriň sözlerine görä, ykjam çiplerdäki
tranzistorlaryň wertikal ýerleşdirilmegi enjamlaryň böleklerine energiýany iň
amatly şekilde paýlamaga kömek eder.
Tehnologiýa, Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) diýip
atlandyrylýar. Ähtimal,ol häzirki wagtda bar bolan tranzistorlaryň gorizontal
ýerleşýän tehnalogiýasy – FinFET-iň ornuny tutar. Tehnologiýanyň kömegi bilen
inženerler smartfonlaryň öndürijiligini iki esse ýokarlandyrmagy we elektrik
energiýany sarp edilmeginiň 85% azalmagyny umyt edýärler.
Şeýle hem hünärmen täze tehnologiýanyň Muruň kanunyndan geçjekdigini
bellediler, kanuna laýyklykda tranzistorlaryň sany her 24 aýda iki esse köpelýär.